III/. Một số cấu hình đề xuất
- Sử dụng công nghệ TD
| STT | Cấu hình bảo vệ | Chế độ bảo vệ | Mã thiết bị | Khả năng cắt sét | Ghi chú |
| 1. | 1 pha | L-N & N-E | 2*TDS11002SR277 | 100kA, 8/20µs (L-N & N-E) | 2 thiết bị TDS11002SR277 |
| 2. | 3 pha | L-N & N-E | 4*TDS11002SR277 | 100kA/pha, 8/20µs (L-N & N-E) | 4 thiết bị TDS11002SR277 |
L-N: chế độ pha – trung tính
N-E: chế độ trung tính – đất
- Sử dụng công nghệ TSG
| STT | Cấu hình bảo vệ | Chế độ bảo vệ | Mã thiết bị | Khả năng cắt sét | Ghi chú |
| 1. | 1 pha | L-N & N-E | 2*TSG1130-2S | 130kA, 8/20µs (L-N & N-E) | 2 thiết bị TSG1130-2S |
| 2. | 3 pha | L-N & N-E | 4*TSG1130-2S | 130kA/pha, 8/20µs (L-N & N-E) | 4 thiết bị TSG1130-2S |
L-N: chế độ pha – trung tính
N-E: chế độ trung tính – đất
- Sử dụng dạng tích hợp công nghệ TD và TSG
| STT | Cấu hình bảo vệ | Chế độ bảo vệ | Mã thiết bị | Khả năng cắt sét | Ghi chú |
| 1. | 1 pha | L-N & N-E | TDS11002SR277 + TSG1130-2S | 100kA, 8/20µs (L-N)
130kA, 8/20µs (N-E) |
01 thiết bị TDS11002SR27701 và thiết bị TSG1130-2S |
| 2. | 3 pha | L-N & N-E | 3*TDS11002SR277 + TSG1130-2S | 100kA/pha, 8/20µs (L-N)
130kA, 8/20µs (N-E) |
03 thiết bị TDS11002SR27701 và thiết bị TSG1130-2S |
L-N: chế độ pha – trung tính
N-E: chế độ trung tính – đất